Infineon IKQ120N60TXKSA1 Single IGBT, 160 A 600 V, 3-Pin PG-TO247

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
226-6109
Référence fabricant:
IKQ120N60TXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

160 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

833 W

Configuration

Single

Package Type

PG-TO247

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

The Infineon IKQ120N60T has 600 V hard switching IGBT discrete with anti-parallel diode used higher system power density Ic which increase keeping the same system thermal performance and It has higher reliability with extended lifetime of the device.

35% bigger active thermal pad area for up to 20% lower thermal resistance R th(jh)
Extended creepage distance of 4.25 mm – 2 mm bigger than TO-247

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