Infineon, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 90 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface

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N° de stock RS:
215-6629
Référence fabricant:
IGB50N60TATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

90A

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

TRENCHSTOPTM

Standards/Approvals

RoHS, JEDEC1

Automotive Standard

No

The Infineon low loss insulated-gate bipolar transistor in trenchstop and fieldstop technology.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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