Infineon, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 90 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 584,00 €

(TVA exclue)

1 917,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +1,584 €1 584,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
215-6629
Référence fabricant:
IGB50N60TATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

90A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, JEDEC1

Series

TRENCHSTOPTM

Automotive Standard

No

The Infineon low loss insulated-gate bipolar transistor in trenchstop and fieldstop technology.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Liens connexes