Infineon IGB50N60TATMA1 IGBT, 90 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 584,00 €

(TVA exclue)

1 917,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +1,584 €1 584,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
215-6629
Référence fabricant:
IGB50N60TATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

90 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

333 W

Package Type

PG-TO263-3

Pin Count

3

The Infineon low loss insulated-gate bipolar transistor in trenchstop and fieldstop technology.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Liens connexes