Infineon IGD06N60TATMA1 Single IGBT, 12 A 600 V, 3-Pin PG-TO252
- N° de stock RS:
- 226-6073
- Référence fabricant:
- IGD06N60TATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
587,50 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,235 € | 587,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 226-6073
- Référence fabricant:
- IGD06N60TATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 12 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 88 W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Configuration | Single | |
| Package Type | PG-TO252 | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 12 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 88 W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Configuration Single | ||
Package Type PG-TO252 | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
The Infineon IGD06N60T is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode and has high ruggedness, temperature stable behaviour. It has low switching loss.
Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)
Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 5microsecond
Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 5microsecond
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