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Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1 IGBT, 53 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3-AI

N° de stock RS:: 215-6660
Référence fabricant:: IKFW60N60DH3EXKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1 IGBT, 53 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3-AI

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60 - 120	4,767 €	143,01 €
150 +	4,567 €	137,01 €

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N° de stock RS:: 215-6660
Référence fabricant:: IKFW60N60DH3EXKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	53 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation	141 W
	Package Type	PG-TO247-3-AI
	Pin Count	3
	Transistor Configuration	Isolated

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 53 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation 141 W
	Package Type PG-TO247-3-AI
	Pin Count 3
	Transistor Configuration Isolated

Datasheet-IKFW60N60DH3EXKSA1

The Infineon insulated-gate bipolar transistor copacked with rapid 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1 IGBT, 53 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3-AI

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