Infineon, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 53 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 215-6660
- Référence fabricant:
- IKFW60N60DH3EXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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| 150 + | 3,352 € | 100,56 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6660
- Référence fabricant:
- IKFW60N60DH3EXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 53A | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 141W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | TRENCHSTOPTM Advanced Isolation | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 53A | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 141W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Series TRENCHSTOPTM Advanced Isolation | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor copacked with rapid 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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