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Infineon IHW50N65R6XKSA1 IGBT, 83 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

N° de stock RS:: 225-0575
Référence fabricant:: IHW50N65R6XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IHW50N65R6XKSA1 IGBT, 83 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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N° de stock RS:: 225-0575
Référence fabricant:: IHW50N65R6XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	83 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	251 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 83 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 251 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW50N65R6XKSA1

The Infineon IHW50N65R6 is the 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.

Frequency range 20-75 kHz
Low EMI
Very tight parameter distribution
Maximum operating TJ of 175 °C

Infineon IHW50N65R6XKSA1 IGBT, 83 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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