Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
215-6646
Référence fabricant:
IHW50N65R5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

282 W

Package Type

PG-TO247-3

Pin Count

3

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

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