Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- N° de stock RS:
- 215-6646
- Référence fabricant:
- IHW50N65R5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,25 € | 6,50 € |
| 20 - 48 | 2,925 € | 5,85 € |
| 50 - 98 | 2,73 € | 5,46 € |
| 100 - 198 | 2,535 € | 5,07 € |
| 200 + | 1,625 € | 3,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6646
- Référence fabricant:
- IHW50N65R5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 282 W | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 282 W | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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