Infineon IHW40N135R5XKSA1, Type N-Channel Reverse Conducting IGBT, 80 A 1350 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

7,92 €

(TVA exclue)

9,58 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 4 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 mai 2026
  • Plus 184 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 83,96 €7,92 €
10 - 183,65 €7,30 €
20 - 483,41 €6,82 €
50 - 983,17 €6,34 €
100 +2,935 €5,87 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
215-6643
Référence fabricant:
IHW40N135R5XKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

Reverse Conducting IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1350V

Maximum Power Dissipation Pd

394W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JESD-022, RoHS

Series

Resonant Switching

Automotive Standard

No

The Infineon insulated-gate bipolar transistor of resonant switching series with low saturation voltage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Liens connexes