Infineon IHW40N135R5XKSA1, Type N-Channel Reverse Conducting IGBT, 80 A 1350 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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215-6643
Référence fabricant:
IHW40N135R5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Product Type

Reverse Conducting IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1350V

Maximum Power Dissipation Pd

394W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JESD-022, RoHS

Series

Resonant Switching

Automotive Standard

No

The Infineon insulated-gate bipolar transistor of resonant switching series with low saturation voltage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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