Infineon IHW40N65R6XKSA1 IGBT 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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N° de stock RS:
225-0573
Référence fabricant:
IHW40N65R6XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

210 W

Package Type

PG-TO247-3

Pin Count

3

The Infineon IHW40N65R6 is the 650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.

Frequency range 20-75 kHz
Low EMI
Very tight parameter distribution
Maximum operating TJ of 175 °C

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