Références fabricant

Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

N° de stock RS:: 215-6645
Référence fabricant:: IHW50N65R5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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Unité	Prix par unité	le tube*
30 - 30	2,088 €	62,64 €
60 - 120	1,984 €	59,52 €
150 - 270	1,90 €	57,00 €
300 - 570	1,817 €	54,51 €
600 +	1,691 €	50,73 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 215-6645
Référence fabricant:: IHW50N65R5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	282 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 282 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW50N65R5XKSA1

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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