Infineon IKW30N65H5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 215-6673
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-31-965
- Référence fabricant:
- IKW30N65H5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 3,432 € | 17,16 € |
| 10 - 20 | 3,092 € | 15,46 € |
| 25 - 45 | 2,882 € | 14,41 € |
| 50 - 120 | 2,676 € | 13,38 € |
| 125 + | 2,472 € | 12,36 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6673
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-31-965
- Référence fabricant:
- IKW30N65H5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 55A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Height | 5.21mm | |
| Length | 42mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 55A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Height 5.21mm | ||
Length 42mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 650v duopack insulated-gate bipolar transistor is a diode of fifth generation high speed switching series.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference