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Infineon IKW30N65H5XKSA1 IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

N° de stock RS:: 215-6671
Référence fabricant:: IKW30N65H5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IKW30N65H5XKSA1 IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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60 - 120	1,778 €	53,34 €
150 +	1,704 €	51,12 €

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N° de stock RS:: 215-6671
Référence fabricant:: IKW30N65H5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	55 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation	188 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 55 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation 188 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IKW30N65H5XKSA1

The Infineon 650v duopack insulated-gate bipolar transistor is a diode of fifth generation high speed switching series.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKW30N65H5XKSA1 IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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