Références fabricant

Infineon IKW30N65H5XKSA1 IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

N° de stock RS:: 215-6671
Référence fabricant:: IKW30N65H5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IKW30N65H5XKSA1 IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

89,97 €

(TVA exclue)

108,87 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

En stock

60 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le tube*
30 - 30	2,999 €	89,97 €
60 - 120	2,849 €	85,47 €
150 +	2,729 €	81,87 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 215-6671
Référence fabricant:: IKW30N65H5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	55 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation	188 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 55 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation 188 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IKW30N65H5XKSA1

The Infineon 650v duopack insulated-gate bipolar transistor is a diode of fifth generation high speed switching series.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKW30N65H5XKSA1 IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Liens connexes