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Infineon IKZ50N65EH5XKSA1 IGBT, 85 A 650 V, 4-Pin PG-TO247-4

N° de stock RS:: 215-6676
Référence fabricant:: IKZ50N65EH5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IKZ50N65EH5XKSA1 IGBT, 85 A 650 V, 4-Pin PG-TO247-4

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

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N° de stock RS:: 215-6676
Référence fabricant:: IKZ50N65EH5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	85 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation	273 W
	Package Type	PG-TO247-4
	Pin Count	4

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 85 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation 273 W
	Package Type PG-TO247-4
	Pin Count 4

Datasheet-IKZ50N65EH5XKSA1

The Infineon 650v duopack insulated-gate bipolar transistor and diode copacked with rapid 1 fast and soft antiparallel diode.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKZ50N65EH5XKSA1 IGBT, 85 A 650 V, 4-Pin PG-TO247-4

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