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Infineon IHW40N120R5XKSA1 IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin PG-TO247-3

N° de stock RS:: 215-6640
Référence fabricant:: IHW40N120R5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IHW40N120R5XKSA1 IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin PG-TO247-3

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60 - 120	2,406 €	72,18 €
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N° de stock RS:: 215-6640
Référence fabricant:: IHW40N120R5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±25 V
	Maximum Power Dissipation	394 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±25 V
	Maximum Power Dissipation 394 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW40N120R5XKSA1

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IHW40N120R5XKSA1 IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin PG-TO247-3

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