Infineon, Type N-Channel Resonant Switching, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 215-6640
- Référence fabricant:
- IHW40N120R5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
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| 60 - 120 | 2,406 € | 72,18 € |
| 150 + | 2,305 € | 69,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6640
- Référence fabricant:
- IHW40N120R5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Product Type | Resonant Switching | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 394W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.85V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±25 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 42mm | |
| Series | IHW40N120R5 | |
| Height | 5.21mm | |
| Standards/Approvals | Pb-free lead plating, IEC61249-2-21, RoHS, JESD-022 | |
| Width | 16.13 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Product Type Resonant Switching | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 394W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.85V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±25 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 42mm | ||
Series IHW40N120R5 | ||
Height 5.21mm | ||
Standards/Approvals Pb-free lead plating, IEC61249-2-21, RoHS, JESD-022 | ||
Width 16.13 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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