Infineon IKQ75N120CS6XKSA1 Single IGBT, 150 A 1200 V, 3-Pin PG-TO247
- N° de stock RS:
- 226-6111
- Référence fabricant:
- IKQ75N120CS6XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|
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| 5 - 9 | 8,84 € |
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| 25 - 49 | 7,76 € |
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- N° de stock RS:
- 226-6111
- Référence fabricant:
- IKQ75N120CS6XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 150 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 25V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation | 880 W | |
| Configuration | Single | |
| Package Type | PG-TO247 | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 150 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 25V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation 880 W | ||
Configuration Single | ||
Package Type PG-TO247 | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
The Infineon 5 A IGBT with anti-parallel diode is Very soft, fast recovery anti-parallel diode and has high ruggedness, temperature stable behaviour. It used low gate charge.
Low EMI
Low Gate Charge QG
Low saturation voltage if 1.85 V combined with low switching losses
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