Infineon IHW20N120R5XKSA1 IGBT Single Transistor IC, 20 A 1200 V, 3-Pin PG-TO-247
- N° de stock RS:
- 244-2914
- Référence fabricant:
- IHW20N120R5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
3,92 €
(TVA exclue)
4,74 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 14 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 avril 2026
- Plus 86 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,96 € | 3,92 € |
| 10 - 38 | 1,885 € | 3,77 € |
| 40 - 78 | 1,82 € | 3,64 € |
| 80 - 118 | 1,74 € | 3,48 € |
| 120 + | 1,66 € | 3,32 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-2914
- Référence fabricant:
- IHW20N120R5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 20A | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 288W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.55V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 % | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.21mm | |
| Width | 16.13 mm | |
| Length | 42mm | |
| Series | Resonant Switching | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 20A | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 288W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 % | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.21mm | ||
Width 16.13 mm | ||
Length 42mm | ||
Series Resonant Switching | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IHW20N120R5XKSA1 is powerful mono lithic body diod ewitlow forward voltage designed for softcommutation. It has TRENCHSTOPTM technology also very tight parameter distribution. It is high ruggedness and temperature stable behavior.
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
LowEMI
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen free(according to IEC61249-2-21)
Complete product spectrum and Pspice Models
Liens connexes
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IKW75N65RH5XKSA1 IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon 150 A 1200 V Through Hole
- Infineon 60 A 1200 V Through Hole
- Infineon 30 A 1200 V Through Hole
- Infineon 80 A 1200 V Through Hole
- Infineon IGBT Single Transistor IC, 4 A 600 V PG-SOT223
