Infineon IHW30N120R5XKSA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 60 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 226-6078
- Référence fabricant:
- IHW30N120R5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,348 € | 16,74 € |
| 25 - 45 | 2,21 € | 11,05 € |
| 50 - 120 | 2,042 € | 10,21 € |
| 125 - 245 | 1,912 € | 9,56 € |
| 250 + | 1,774 € | 8,87 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 226-6078
- Référence fabricant:
- IHW30N120R5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 60A | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.55V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 25 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | Resonant Switching | |
| Length | 42mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 5.21mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 60A | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 25 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series Resonant Switching | ||
Length 42mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 5.21mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IHW30N120R5 power full monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only and has high ruggedness, temperature stable behaviour with low VCEsat.
Very tight parameter distribution
Low EMI
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