Infineon IKQ40N120CH3XKSA1 Single IGBT, 80 A 1200 V PG-TO247-3-46
- N° de stock RS:
- 260-5091
- Référence fabricant:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 5,268 € | 158,04 € |
| 60 - 120 | 5,005 € | 150,15 € |
| 150 + | 4,794 € | 143,82 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 260-5091
- Référence fabricant:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 500 W | |
| Package Type | PG-TO247-3-46 | |
| Configuration | Single | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 500 W | ||
Package Type PG-TO247-3-46 | ||
Configuration Single | ||
The Infineon hard switching high speed IGBT3 in TO247 PLUS package with soft, fast anti-parallel emitter controlled diode.
High efficiency in hard switching and resonant topologies
Easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
Low gate charge QG
Easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
Low gate charge QG
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