Infineon IGP40N65H5XKSA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO220-3
- N° de stock RS:
- 215-6631
- Référence fabricant:
- IGP40N65H5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,767 € | 88,35 € |
| 100 - 200 | 1,591 € | 79,55 € |
| 250 + | 1,502 € | 75,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6631
- Référence fabricant:
- IGP40N65H5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 74 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation | 250 W | |
| Package Type | PG-TO220-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 74 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation 250 W | ||
Package Type PG-TO220-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low gate charge.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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