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Infineon AIKW40N65DF5XKSA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

N° de stock RS:: 215-6618
Référence fabricant:: AIKW40N65DF5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon AIKW40N65DF5XKSA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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2 - 8	4,835 €	9,67 €
10 - 98	4,435 €	8,87 €
100 - 248	4,10 €	8,20 €
250 - 498	3,80 €	7,60 €
500 +	3,695 €	7,39 €

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N° de stock RS:: 215-6618
Référence fabricant:: AIKW40N65DF5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	74 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation	250 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 74 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation 250 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-AIKW40N65DF5XKSA1

The Infineon high speed F5 technology insulated-gate bipolar transistor offering best-in-class efficiency in hard switching and resonant topologies.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon AIKW40N65DF5XKSA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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