Infineon AIKW40N65DF5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:
215-6618
Référence fabricant:
AIKW40N65DF5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

74A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Height

5.21mm

Series

TrenchStop

Length

42mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon high speed F5 technology insulated-gate bipolar transistor offering best-in-class efficiency in hard switching and resonant topologies.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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