Infineon, Type N-Channel IGBT, 34 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

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250 - 4501,073 €53,65 €
500 - 9501,045 €52,25 €
1000 +1,019 €50,95 €

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N° de stock RS:
226-6081
Référence fabricant:
IKA15N65ET6XKSA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

34A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

35.3W

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Series

TrenchStop

Automotive Standard

No

The Infineon IKA10N65ET6 is good thermal performance, especially at higher frequencies and increased design margin and reliability. It is very soft, fast recovery anti-parallel rapid diode. It has low losses to meet energy efficient requirements.

Very low VCE(sat) 1.5V(typ.)

Maximum junction temperature 175°C

Low gate chargeQG

Pb-free lead platingRoHS compliant

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