Infineon, Type N-Channel IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 226-6114
- Référence fabricant:
- IKW40N65F5FKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,076 € | 62,28 € |
| 60 - 120 | 1,972 € | 59,16 € |
| 150 - 270 | 1,889 € | 56,67 € |
| 300 - 570 | 1,806 € | 54,18 € |
| 600 + | 1,682 € | 50,46 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 226-6114
- Référence fabricant:
- IKW40N65F5FKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 74A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Length | 42mm | |
| Height | 5.21mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 74A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Length 42mm | ||
Height 5.21mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IKW40N65F5 is 650 V high speed hard switching IGBT which used co-packed with rapid si-diode technology. It has higher power density design and has low COES/EOSS.
Factor 2.5 lower Qg
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in VCEsat
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