Infineon IGP40N65H5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

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N° de stock RS:
215-6632
Référence fabricant:
IGP40N65H5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

74A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10.36 mm

Length

29.95mm

Standards/Approvals

No

Series

TrenchStop

Height

4.57mm

Automotive Standard

No

The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low gate charge.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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