Infineon IKP40N65H5XKSA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO220-3
- N° de stock RS:
- 215-6663
- Référence fabricant:
- IKP40N65H5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,782 € | 13,91 € |
| 25 - 45 | 2,308 € | 11,54 € |
| 50 - 120 | 2,246 € | 11,23 € |
| 125 - 245 | 2,186 € | 10,93 € |
| 250 + | 2,13 € | 10,65 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6663
- Référence fabricant:
- IKP40N65H5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 74 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation | 250 W | |
| Package Type | PG-TO220-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 74 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation 250 W | ||
Package Type PG-TO220-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon 650v fifth generation duopack insulated-gate bipolar transistor and diode of high speed switching series in trenchstop technology.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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