Infineon FS1150R08A8P3LMCHPSA1, Type N-Channel Half Bridge IGBT, 600 A 750 V, Screw

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N° de stock RS:
349-029
Référence fabricant:
FS1150R08A8P3LMCHPSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

600A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

750V

Maximum Power Dissipation Pd

1kW

Number of Transistors

6

Configuration

Half Bridge

Mount Type

Screw

Channel Type

Type N

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.22V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

185°C

Standards/Approvals

RoHS, UL 94 V0

Automotive Standard

AQG 324

Pays d'origine :
DE
The Infineon HybridPACK Drive G2 module is a very compact six pack power module with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles. The power module implements Infineon’s next generation chip technology EDT3 750V, optimized for electric drive train applications, from mid to high range automotive power classes.

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