Infineon FS1150R08A8P3LMCHPSA1 Half Bridge IGBT, 600 A 750 V, Screw Mount

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 unité)*

1 042,74 €

(TVA exclue)

1 261,72 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 29 novembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 +1 042,74 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
349-029
Référence fabricant:
FS1150R08A8P3LMCHPSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

600 A

Maximum Collector Emitter Voltage

750 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

1 kW

Number of Transistors

6

Configuration

Half Bridge

Mounting Type

Screw Mount

Channel Type

N

Pays d'origine :
DE
The Infineon HybridPACK Drive G2 module is a very compact six pack power module with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles. The power module implements Infineon’s next generation chip technology EDT3 750V, optimized for electric drive train applications, from mid to high range automotive power classes.

Low inductive design
4.2 kV DC 1 second insulation
High creepage and clearance distances
Direct cooled PinFin base plate
PCB and cooler assembly guidelines
PressFIT contact technology

Liens connexes