Infineon FF1200XTR17T2P5PBPSA1, Type N-Channel Half Bridge IGBT, 1200 A 1700 V, Screw
- N° de stock RS:
- 349-423
- Référence fabricant:
- FF1200XTR17T2P5PBPSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 349-423
- Référence fabricant:
- FF1200XTR17T2P5PBPSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 1200A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1700V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1200kW | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Mount Type | Screw | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 3V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Length | 140mm | |
| Height | 40mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 1200A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1700V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1200kW | ||
Number of Transistors 2 | ||
Configuration Half Bridge | ||
Mount Type Screw | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 3V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Length 140mm | ||
Height 40mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- DE
The Infineon XHP 2 1700 V 1200 A dual IGBT module with .XT interconnection technology, TRENCHSTOP IGBT5 and Thermal Interface Material for high reliability and robustness, combined with system availability and long lifetime for high power traction and wind applications.
Easier paralleling of modules
Up to 10 times longer lifetime
Less cooling effort for same output power
Enables higher system overload conditions
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