Infineon FF2400R12IP7PBPSA1, Type N-Channel Half Bridge IGBT, 2400 A 1200 V Module, Screw
- N° de stock RS:
- 349-363
- Référence fabricant:
- FF2400R12IP7PBPSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 349-363
- Référence fabricant:
- FF2400R12IP7PBPSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 2400A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Screw | |
| Channel Type | Type N | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.85V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 247mm | |
| Height | 38.25mm | |
| Standards/Approvals | IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 2400A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Number of Transistors 2 | ||
Configuration Half Bridge | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Screw | ||
Channel Type Type N | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.85V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 247mm | ||
Height 38.25mm | ||
Standards/Approvals IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- DE
The Infineon PrimePACK 3+ Dual IGBT Module with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 Diode, and NTC is designed for high power applications, offering exceptional performance and reliability. It features the highest power density, enabling efficient operation in compact spaces. With best-in-class VCEsat, the module ensures low saturation voltage, improving overall efficiency and reducing power losses.
Increase in power density
Less cooling effort for same output power
High power density enables frame jump
Avoidance of paralleling of IGBT modules
Standardized Housing
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