Infineon RF Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 4.5 V, 4-Pin SOT-343
- N° de stock RS:
- 273-7298
- Référence fabricant:
- BFP410H6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-7298
- Référence fabricant:
- BFP410H6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 40mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 4.5V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150mW | |
| Maximum Transition Frequency ft | 25GHz | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 60 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.5V | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Series | BFP | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 40mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4.5V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150mW | ||
Maximum Transition Frequency ft 25GHz | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 60 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.5V | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Series BFP | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon NPN RF bipolar transistor is a low noise device based on a grounded emitter that is part of Infineon established fourth generation RF bipolar transistor family. Its transition frequency fT of 25 GHz and low current characteristics make the device suitable for high frequency oscillators. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
High gain
Minimum noise figure
Suitable for broadband low noise amplifiers
LNAs for sub 1 GHz ISM band applications
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