Infineon RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9

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N° de stock RS:
258-0649
Référence fabricant:
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

35mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

2.25V

Package Type

TSLP-3-9

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

2.9V

Minimum DC Current Gain hFE

150

Maximum Power Dissipation Pd

75mW

Maximum Transition Frequency ft

75GHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Polarity

NPN

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

1mm

Series

BFR840L3RHESD

Height

0.31mm

Automotive Standard

No

The Infineon SiGe C NPN RF bipolar transistor is a discrete RF heterojunction bipolar transistor with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.

Ideal for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V

Low profile and small form factor leadless package

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