BGA7L1BN6E6327XTSA1 Infineon RF Amplifier Low Noise 13.6 dB, 6-Pin 960 MHz TSNP-6-2

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N° de stock RS:
273-5225
Référence fabricant:
BGA7L1BN6E6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

RF Amplifier

Amplifier Type

Low Noise

Technology

Silicon Germanium

Mount Type

Surface

Gain

13.6dB

Minimum Supply Voltage

1.5V

Package Type

TSNP-6-2

Pin Count

6

Maximum Supply Voltage

3.6V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Noise Figure

0.75dB

Third Order Intercept OIP3

5dBm

Maximum Operating Temperature

85°C

Length

1.1mm

Height

0.37mm

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

Series

BGA7L1BN6

Pays d'origine :
MY
The Infineon RF Amplifier is a front end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 716 MHz to 960 MHz. The LNA provides 13.6 dB gain and 0. 75 dB noise figure at a current consumption of 4.9 mA. This RF amplifier is base on Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.6 V supply voltage. The device features a single line two state control and OFF state can be enabled by powering down Vcc.

Pb free package

RoHS compliant

Low noise figure

Digitally on off switch

Low current consumption

Only 1 external SMD component necessary

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