Infineon RF Amplifier Low Noise 13.6 dB, 6-Pin 960 MHz TSNP-6-2

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N° de stock RS:
273-5226
Référence fabricant:
BGA7L1BN6E6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

RF Amplifier

Operating Frequency

960 MHz

Amplifier Type

Low Noise

Technology

Silicon Germanium

Mount Type

Surface

Gain

13.6dB

Minimum Supply Voltage

1.5V

Package Type

TSNP-6-2

Maximum Supply Voltage

3.6V

Pin Count

6

Third Order Intercept OIP3

5dBm

Minimum Operating Temperature

-40°C

Noise Figure

0.75dB

Maximum Operating Temperature

85°C

Height

0.37mm

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Length

1.1mm

Width

0.7 mm

Series

BGA7L1BN6

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY
The Infineon RF Amplifier is a front end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 716 MHz to 960 MHz. The LNA provides 13.6 dB gain and 0. 75 dB noise figure at a current consumption of 4.9 mA. This RF amplifier is base on Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.6 V supply voltage. The device features a single line two state control and OFF state can be enabled by powering down Vcc.

Pb free package

RoHS compliant

Low noise figure

Digitally on off switch

Low current consumption

Only 1 external SMD component necessary

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