Infineon RF Amplifier Low Noise 12.5 dB, 6-Pin TSNP-6-2

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N° de stock RS:
273-5224
Référence fabricant:
BGA7H1N6E6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Amplifier Type

Low Noise

Product Type

RF Amplifier

Gain

12.5dB

Mount Type

Surface

Minimum Supply Voltage

-0.3V

Package Type

TSNP-6-2

Maximum Supply Voltage

3.6V

Pin Count

6

Noise Figure

0.6dB

Minimum Operating Temperature

-60°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

0.7 mm

Length

1.1mm

Height

0.37mm

Standards/Approvals

No

Series

BGA7H1N6

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY
The Infineon RF Amplifier is a front end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 2300 MHz to 2690 MHz. The LNA provides 12.5 dB gain and 0.60 dB noise figure at a current consumption of 4.7 mA. This RF amplifier is base on Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.3 V supply voltage.

Pb free package

RoHS compliant

Low noise figure

Digitally on off switch

Low current consumption

Only 1 external SMD component necessary

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