Wolfspeed Series N-Channel MOSFET, 193 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin

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N° de stock RS:
916-3879
Référence fabricant:
CAS120M12BM2
Fabricant:
Wolfspeed
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Marque

Wolfspeed

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

193A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

30mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

378nC

Maximum Power Dissipation Pd

925W

Forward Voltage Vf

2.4V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25V

Transistor Configuration

Series

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

106.4mm

Height

30mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

61.4mm

Automotive Standard

No

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules


Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.

• MOSFET turn-off tail current and diode reverse recovery current are effectively zero.

• Ultra low loss high-frequency operation

• Ease of paralleling due to SiC characteristics

• Normally-off, fail-safe operation

• Copper baseplate and aluminium nitride insulator reduce thermal requirements

MOSFET Transistors, Wolfspeed


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