Wolfspeed C3M Type N-Channel MOSFET, 22 A, 1 kV Enhancement, 8-Pin TO-263 C3M0120100J

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150-3965
Référence fabricant:
C3M0120100J
Fabricant:
Wolfspeed
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Marque

Wolfspeed

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Series

C3M

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

170mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Forward Voltage Vf

4.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

9 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.23mm

Standards/Approvals

No

Width

9.12 mm

Height

4.32mm

Automotive Standard

No

Wolfspeed introduces its latest breakthrough in SiC power device technology with the industry’s only 1kV SiC MOSFET in a newly optimized package suitable for fast switching devices. Optimized for electric-vehicle charging systems, and three-phase industrial power supplies, the new 1kV device addresses many power design challenges by providing a unique device with low on-Resistance, very low output capacitance and low source inductance for a perfect blend of low switching losses and low conduction losses.

Minimum of 1kV Vbr across entire operating temperature range

low source inductance package with separate driver source pin

High-speed switching with low output capacitance

High blocking voltage with low RDS(on)

Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)

Easy to parallel and simple to drive

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