SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 Wolfspeed C3M0065100K

N° de stock RS:: 125-3453
Référence fabricant:: C3M0065100K
Fabricant:: Wolfspeed

SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 Wolfspeed C3M0065100K

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Référence fabricant:: C3M0065100K
Fabricant:: Wolfspeed

C3M0065100K, Silicon Carbide Power MOSFET C3M MOSFET Technology
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	35 A
Maximum Drain Source Voltage	1000 V
Package Type	TO-247-4
Series	C3M
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	4
Maximum Drain Source Resistance	90 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.8V
Maximum Power Dissipation	113.5 W
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +19 V
Length	16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs	35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	SiC
Width	5.21mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	23.6mm
Forward Diode Voltage	4.8V

SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 Wolfspeed C3M0065100K

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Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.