Wolfspeed Series N-Channel MOSFET, 193 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin CAS120M12BM2

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N° de stock RS:
162-9720
Référence fabricant:
CAS120M12BM2
Fabricant:
Wolfspeed
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Marque

Wolfspeed

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

193A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

30mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

925W

Forward Voltage Vf

2.4V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

378nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Series

Width

61.4mm

Height

30mm

Length

106.4mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules


Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.

• MOSFET turn-off tail current and diode reverse recovery current are effectively zero.

• Ultra low loss high-frequency operation

• Ease of paralleling due to SiC characteristics

• Normally-off, fail-safe operation

• Copper baseplate and aluminium nitride insulator reduce thermal requirements

MOSFET Transistors, Wolfspeed


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