Références fabricant

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 31 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB AUIRFZ44N

N° de stock RS:: 912-8646
Référence fabricant:: AUIRFZ44N
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 31 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB AUIRFZ44N

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

37,80 €

(TVA exclue)

45,75 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	le tube*
50 +	0,756 €	37,80 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 912-8646
Référence fabricant:: AUIRFZ44N
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	31 A
	Maximum Drain Source Voltage	55 V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220AB
	Mounting Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	24 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage	4V
	Minimum Gate Threshold Voltage	2V
	Maximum Power Dissipation	45 W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
	Number of Elements per Chip	1
	Transistor Material	Si
	Width	4.82mm
	Maximum Operating Temperature	+175 °C
	Length	10.66mm
	Typical Gate Charge @ Vgs	65 nC @ 10 V
	Height	16.51mm
	Minimum Operating Temperature	-55 °C

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 31 A
	Maximum Drain Source Voltage 55 V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220AB
	Mounting Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 24 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage 4V
	Minimum Gate Threshold Voltage 2V
	Maximum Power Dissipation 45 W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
	Number of Elements per Chip 1
	Transistor Material Si
	Width 4.82mm
	Maximum Operating Temperature +175 °C
	Length 10.66mm
	Typical Gate Charge @ Vgs 65 nC @ 10 V
	Height 16.51mm
	Minimum Operating Temperature -55 °C

Pays d'origine :: MX

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 31 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB AUIRFZ44N

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