Références fabricant

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB90N04S402ATMA1

N° de stock RS:: 857-4565
Référence fabricant:: IPB90N04S402ATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB90N04S402ATMA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 086,00 €

(TVA exclue)

1 314,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 - 1000	1,086 €	1 086,00 €
2000 - 4000	1,058 €	1 058,00 €
5000 +	1,032 €	1 032,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 857-4565
Référence fabricant:: IPB90N04S402ATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	90 A
	Maximum Drain Source Voltage	40 V
	Series	OptiMOS™ -T2
	Package Type	D2PAK (TO-263)
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	2.5 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage	4V
	Minimum Gate Threshold Voltage	2V
	Maximum Power Dissipation	150 W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
	Width	9.25mm
	Maximum Operating Temperature	+175 °C
	Number of Elements per Chip	1
	Length	10mm
	Typical Gate Charge @ Vgs	91 nC @ 10 V
	Transistor Material	Si
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Height	4.4mm

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 90 A
	Maximum Drain Source Voltage 40 V
	Series OptiMOS™ -T2
	Package Type D2PAK (TO-263)
	Mounting Type Surface Mount
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 2.5 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage 4V
	Minimum Gate Threshold Voltage 2V
	Maximum Power Dissipation 150 W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
	Width 9.25mm
	Maximum Operating Temperature +175 °C
	Number of Elements per Chip 1
	Length 10mm
	Typical Gate Charge @ Vgs 91 nC @ 10 V
	Transistor Material Si
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Height 4.4mm

Statut RoHS non applicable

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB90N04S402ATMA1

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