Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB80N04S404ATMA1

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826-9480
Référence fabricant:
IPB80N04S404ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Series

OptiMOS™ -T2

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

71 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

33 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

10mm

Transistor Material

Si

Width

9.25mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.4mm

Statut RoHS non applicable

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