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Infineon Isolated HEXFET 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7309TRPBF

N° de stock RS:: 826-8866
Numéro d'article Distrelec:: 304-44-451
Référence fabricant:: IRF7309TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon Isolated HEXFET 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7309TRPBF

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N° de stock RS:: 826-8866
Numéro d'article Distrelec:: 304-44-451
Référence fabricant:: IRF7309TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	80mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.4W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Height	1.5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.4W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Height 1.5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

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MOSFET Transistors, Infineon

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