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Infineon Isolated HEXFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SOIC

N° de stock RS:: 165-5912
Référence fabricant:: IRF7105TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon Isolated HEXFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SOIC

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N° de stock RS:: 165-5912
Référence fabricant:: IRF7105TRPBF
Fabricant:: Infineon

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type P, Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	400mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.5mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type P, Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Series HEXFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 400mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.5mm
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

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MOSFET Transistors, Infineon

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