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DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMG6602SVT-7

N° de stock RS:: 822-2532
Référence fabricant:: DMG6602SVT-7
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMG6602SVT-7

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N° de stock RS:: 822-2532
Référence fabricant:: DMG6602SVT-7
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	TSOT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	140mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.27W
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4nC
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101
	Length	2.9mm
	Height	0.9mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type TSOT
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 140mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.27W
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4nC
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101
	Length 2.9mm
	Height 0.9mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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