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DiodesZetex Dual DMN3061 1 Type N-Channel MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT

N° de stock RS:: 206-0081
Référence fabricant:: DMN3061SVT-7
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex Dual DMN3061 1 Type N-Channel MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

408,00 €

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3000 +	0,136 €	408,00 €

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N° de stock RS:: 206-0081
Référence fabricant:: DMN3061SVT-7
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	DMN3061
	Package Type	TSOT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	200mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.08W
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	0.9mm
	Length	2.9mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series DMN3061
	Package Type TSOT
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 200mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.08W
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 0.9mm
	Length 2.9mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet - DMN3061SVT-7

Pays d'origine :: CN

The DiodesZetex 30V dual N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20 V with 0.88W thermal power dissipation.

Low input capacitance

Fast switching speed

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