DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

798,00 €

(TVA exclue)

966,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 75 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,266 €798,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
121-9598
Référence fabricant:
DMG6602SVT-7
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Channel Type

Type N, Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TSOT

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

150°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.27W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

2.9mm

Standards/Approvals

J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101

Height

0.9mm

Width

1.6 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET Transistors, Diodes Inc.


Liens connexes