DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 4.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

213,00 €

(TVA exclue)

258,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 18 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 60000,071 €213,00 €
9000 +0,069 €207,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
122-3246
Référence fabricant:
DMG6601LVT-7
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N, Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TSOT

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.4nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Forward Voltage Vf

0.75V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.3W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

1.6 mm

Length

2.9mm

Height

0.9mm

Standards/Approvals

AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET Transistors, Diodes Inc.


Liens connexes