Vishay Si2366DS Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2366DS-T1-GE3

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812-3132
Référence fabricant:
SI2366DS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

Si2366DS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

42mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.02mm

Standards/Approvals

No

Width

1.4 mm

Length

3.04mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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