onsemi 2N7002KW Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002KW

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805-1135
Référence fabricant:
2N7002KW
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Series

2N7002KW

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

350mW

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.55nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.3 mm

Length

2.92mm

Standards/Approvals

No

Height

1.2mm

Automotive Standard

No

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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