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onsemi 2N7002K Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002K

N° de stock RS:: 805-1126
Référence fabricant:: 2N7002K
Fabricant:: onsemi

onsemi 2N7002K Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002K

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N° de stock RS:: 805-1126
Référence fabricant:: 2N7002K
Fabricant:: onsemi

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Series	2N7002K
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.8Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd	350mW
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.92mm
	Height	1.2mm
	Width	1.3mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Series 2N7002K
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd 350mW
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.92mm
	Height 1.2mm
	Width 1.3mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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