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IXYS HiperFET, Q3-Class Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH18N100Q3

N° de stock RS:: 801-1382
Référence fabricant:: IXFH18N100Q3
Fabricant:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH18N100Q3

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N° de stock RS:: 801-1382
Référence fabricant:: IXFH18N100Q3
Fabricant:: IXYS

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1kV
	Series	HiperFET, Q3-Class
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	660mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	830W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	90nC
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5.3mm
	Length	16.26mm
	Height	16.26mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1kV
	Series HiperFET, Q3-Class
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 660mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 830W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 5.3mm
	Length 16.26mm
	Height 16.26mm
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

Fast intrinsic rectifier diode

Low RDS(on) and QG (gate charge)

Low intrinsic gate resistance

Industry standard packages

Low package inductance

High power density

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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