IXYS Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR24N100Q3
- N° de stock RS:
- 801-1433
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-394
- Référence fabricant:
- IXFR24N100Q3
- Fabricant:
- IXYS
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| 10 - 19 | 31,60 € |
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- N° de stock RS:
- 801-1433
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-394
- Référence fabricant:
- IXFR24N100Q3
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1kV | |
| Package Type | ISOPLUS247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 490mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 140nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.13mm | |
| Height | 21.34mm | |
| Width | 5.21 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 30253394 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1kV | ||
Package Type ISOPLUS247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 490mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 140nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.13mm | ||
Height 21.34mm | ||
Width 5.21 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 30253394 | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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