Vishay Si4190ADY Type N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4190ADY-T1-GE3

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Référence fabricant:
SI4190ADY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOIC

Series

Si4190ADY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Height

1.5mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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