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Vishay Si4190ADY N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4190ADY-T1-GE3

N° de stock RS:: 787-9235
Référence fabricant:: SI4190ADY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si4190ADY N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4190ADY-T1-GE3

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N° de stock RS:: 787-9235
Référence fabricant:: SI4190ADY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	Si4190ADY
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	44.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd	6W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Width	4mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series Si4190ADY
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd 6W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Width 4mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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